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本发明公开了一种弱能量收集用肖特基二极管及制备方法,肖特基二极管包括:衬底;缓冲层,设置在衬底上;组分固定掺杂层,设置在缓冲层上,组分固定掺杂层为在Ge中掺杂Sn形成,其中Sn的组分为8%;组分渐变掺杂层,设置在组分固定掺杂层上,组分渐变掺杂层为在Ge中掺杂Sn形成,其中Sn的组分沿远离组分固定掺杂层的方向逐渐增大;金属阳极,设置在组分渐变掺杂层上;金属阴极,设置在组分固定掺杂层上。本发明通过在Ge半导体中掺杂Sn以及采用组分渐变的方式,降低了器件串联电阻。而且金属半导体接触处具备更低的势垒高度
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114464684 A
(43)申请公布日 2022.05.10
(21)申请号 202210173481.0
(22)申请日 2022.02.24
(71)申请人 西安电子科技大学
地址 71007
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