一种弱能量收集用肖特基二极管及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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一种弱能量收集用肖特基二极管及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种弱能量收集用肖特基二极管及制备方法，肖特基二极管包括：衬底；缓冲层，设置在衬底上；组分固定掺杂层，设置在缓冲层上，组分固定掺杂层为在Ge中掺杂Sn形成，其中Sn的组分为8％；组分渐变掺杂层，设置在组分固定掺杂层上，组分渐变掺杂层为在Ge中掺杂Sn形成，其中Sn的组分沿远离组分固定掺杂层的方向逐渐增大；金属阳极，设置在组分渐变掺杂层上；金属阴极，设置在组分固定掺杂层上。本发明通过在Ge半导体中掺杂Sn以及采用组分渐变的方式，降低了器件串联电阻。而且金属半导体接触处具备更低的势垒高度

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114464684 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202210173481.0 (22)申请日 2022.02.24 (71)申请人西安电子科技大学地址 71007