半导体结构及半导体结构的形成方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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半导体结构及半导体结构的形成方法.pdf

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一种半导体结构及形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上的栅极结构和第一介质层，第一介质层位于栅极结构顶部和侧壁；位于第一介质层内的第一开口，第一开口包括第一区和位于第一区上的第二区，第一区在衬底上具有第一投影，第二区在衬底上具有第二投影，第一投影的面积小于第二投影的面积，且第一投影在第二投影的范围内，第一开口暴露出衬底表面；位于第二区侧壁的阻挡层，阻挡层的材料与第一介质层的材料不同；位于第一开口内的第一导电结构，阻挡层位于第一导电结构侧壁；位于第一介质层内的第二导电结构，第二导电结构位于栅极结构上

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114496981 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202011158878.X (22)申请日 2020.10.26 (71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限