基于本征硅超材料的光可调宽带太赫兹吸收器及调控方法.pdfVIP

基于本征硅超材料的光可调宽带太赫兹吸收器及调控方法.pdf

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本发明提出了基于本征硅超材料的光可调宽带太赫兹吸收器及调控方法,用以解决掺杂硅吸收器的制备复杂、光调谐效率低和反射作用较强的技术问题,包括减反射层和衬底层,所述减反射层为谐振单元阵列,谐振单元阵列由周期型排列的十字柱状谐振单元构成,十字柱状谐振单元由水平柱和垂直柱的中点垂直相交构成;所述减反射层和衬底层均为本征硅。本发明通过全新的太赫兹吸收方案及超材料减反射结构设计,获得了基于本征硅超材料的光可调宽带太赫兹吸收器,在1064nm连续激光照射下,实现了0到99%的超大范围峰值吸收率调节及大于1.3

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114465014 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202210231884.6 (22)申请日 2022.03.10 (66)本国优先权数据

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