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本发明提供一种自旋轨道矩磁性随机存储器及其制备方法,自旋轨道矩磁性随机存储器包括衬底、绝缘层、拓朴结构、磁性隧道结、第一导电结构、第二导电结构及第三导电结构;本发明的自旋轨道矩磁性随机存储器,将拓朴结构设置于磁性隧道结外,且与自由铁磁层相接触,并在磁性隧道结内设置第一导电结构,且第一导电结构与固定铁磁层相接触,且拓朴结构与磁性隧道结均呈U型或V型,从而可使得自旋轨道矩磁性随机存储器实现“读”与“写”的操作,且可实现自旋轨道矩磁性随机存储器的微缩,提高存储能力,扩大所述自旋轨道矩磁性随机存储器的应
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114497355 A
(43)申请公布日 2022.05.13
(21)申请号 202210072108.6
(22)申请日 2022.01.21
(71)申请人 上海积塔半导体有限
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