一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约9.73千字
约 11页
2023-05-09 发布于四川
举报
版权申诉

一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法.pdf

1、本文档共11页，其中可免费阅读10页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本申请公开了一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法，属于半导体器件及制造领域。该方法包括：提供衬底并在表面形成硬质掩膜层，对衬底和硬质掩膜层进行刻蚀形成第一深沟槽，并在硬质掩膜层底部和第一深沟槽内淀积阻挡层，刻蚀阻挡层至硬质掩膜层表面，其中，第一深沟槽底部刻蚀形成有第二深沟槽，刻蚀该第二深沟槽并淀积形成屏蔽栅厚介质层，去除阻挡层和硬质掩膜层，并在第一深沟槽内壁形成栅介质层，进一步在各个沟槽内以及衬底顶部淀积多晶硅，并一步刻蚀同时形成有栅多晶硅和屏蔽栅多晶硅，最后注入阱以及填充背面和正面金属；本工

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114496756 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202210008437.4 (22)申请日 2022.01.06 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地址