一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法.pdfVIP

一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法.pdf

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本申请公开了一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法,属于半导体器件及制造领域。该方法包括:提供衬底并在表面形成硬质掩膜层,对衬底和硬质掩膜层进行刻蚀形成第一深沟槽,并在硬质掩膜层底部和第一深沟槽内淀积阻挡层,刻蚀阻挡层至硬质掩膜层表面,其中,第一深沟槽底部刻蚀形成有第二深沟槽,刻蚀该第二深沟槽并淀积形成屏蔽栅厚介质层,去除阻挡层和硬质掩膜层,并在第一深沟槽内壁形成栅介质层,进一步在各个沟槽内以及衬底顶部淀积多晶硅,并一步刻蚀同时形成有栅多晶硅和屏蔽栅多晶硅,最后注入阱以及填充背面和正面金属;本工

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114496756 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202210008437.4 (22)申请日 2022.01.06 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 地址

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