一种浮栅型闪存器的制造方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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一种浮栅型闪存器的制造方法.pdf

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本发明提供一种浮栅型闪存器的制造方法，提供半导体结构，包括存储阵列以及与存储阵列处于相邻位置的逻辑区域；之后对存储阵列的硅进行回刻；生长栅极氧化物；沉积浮栅覆盖半导体结构；沉积氧化硅；之后去除逻辑区域的浮栅和氧化硅；沉积氮化硅覆盖存储阵列和逻辑区域；之后在存储阵列和逻辑区域分别形成STI并进行表面平坦化；去除氮化硅和氧化硅。本发明在现有的Si回刻基础上进一步提高回刻量，通过控制回刻厚度，保证后续AlCMP工艺时存储阵列和逻辑区域的高度接近，并在栅极氧化物和浮栅沉积之后继续沉积一层氧化硅，使ST

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114497047 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202210097233.2 (22)申请日 2022.01.27 (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司地址