改善STI平坦度的方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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改善STI平坦度的方法.pdf

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本发明提供一种改善STI平坦度的方法，提供衬底，衬底上形成有阱，还形成有STI用以定义出的有源区；在衬底上形成覆盖STI和有源区的光刻胶层，光刻使得有源区和部分STI裸露；对裸露的有源区和部分STI进行离子注入，用以形成轻掺杂漏；利用非激活离子对裸露的有源区和部分STI进行离子注入，其中STI被离子注入的深度为第一深度，未被离子注入的深度为第二深度，第一深度与第二深度的差值小于10埃。本发明改善了离子注入的STI区域与未进行离子注入的STI区域间高度的差异，便于去除伪栅，避免金属栅成型后的性能受

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114496779 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202210097309.1 (22)申请日 2022.01.27 (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司地址