一种滤波器薄膜衬底及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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一种滤波器薄膜衬底及其制备方法.pdf

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本申请涉及一种滤波器薄膜衬底及其制备方法。所述方法包括：S100:提供支撑衬底；S200:在所述支撑衬底的一侧表面上预设厚度的压电薄膜；S300:对所述压电薄膜进行热处理，将所述压电薄膜加热至居里温度以上，保温第一预设时间；在所述热处理的过程中对所述压电薄膜施加预设电压；S400:在所述压电薄膜上施加能量脉冲，以将所述压电薄膜转变为目标压电层，得到所述薄膜衬底，所述目标压电层为择优取向的多晶压电薄膜。本申请实现了极化取向随机排布的多晶压电薄膜向择优取向的高质量多晶压电薄膜的转变，以及非晶压电薄膜

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114465589 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202210105227.7 (22)申请日 2022.01.28 (71)申请人上海新硅聚合半导体有限公司地址