半导体装置及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-10 发布于北京
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半导体装置及其形成方法.pdf

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本发明公开了一种半导体装置及其形成方法，包括一基底，多个第一图案与多个第二图案设置在该基底上，各该第一图案包含有一第一主体部分以及一第一延伸部分相互连接，各该第二图案包含有一第二主体部分以及一第二延伸部分相互连接，其中，该第一主体部分与该第二主体部分均包含有至少一弧状图案，以及至少一接触结构，与该第一图案或与该第二图案重叠。藉此，本发明即可利用自对准双重图案化制作工艺配合图案化掩膜层来形成布局相对密集且尺寸相对微小的特定图案，以利于后续组件制作工艺的进行。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114512476 A (43)申请公布日 2022.05.17 (21)申请号 202210146892.0 (22)申请日 2022.02.17 (71)申请人福建省晋华集成电路有限公司地址