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本发明属于半导体器件技术领域,提供一种新型Si‑SiC异质结隧穿MOSFET器件及其集成器件,用以克服传统硅基MOSFET的二级效应。本发明采用N型硅半导体区与P型碳化硅半导体区、或者N型碳化硅半导体区与P型硅半导体区之间形成的Si‑SiC异质结结构,器件有效沟道为Si‑SiC异质结的结面,即有效沟道长为无限短,则不存在沟道长度调制效应,有效消除二级效应,进而克服SiC中反型层迁中电子移率低的问题;同时,本发明器件结构能够实现在同一衬底上NMOS与PMOS的隔离,进而实现反相器等结构,在SiC集
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114512539 A
(43)申请公布日 2022.05.17
(21)申请号 202210088057.6 H03K 19/0175 (2006.01)
(22)申请日 2022.0
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