存储器元件及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-10 发布于北京
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存储器元件及其制备方法.pdf

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提供一种存储器元件，包括半导体基底，具有第一主动区以及第二主动区，第二主动区邻近第一主动区。该存储器元件还具有第一字元线，延伸经过第一主动区与第二主动区。该存储器元件还具有位在第一主动区中的第一源极/漏极区以及位在第二主动区中的第二源极/漏极区，而第一源极/漏极区与第二源极/漏极区设置在第一字元线的相对两侧处。此外，该存储器元件具有第一电容器以及第二电容器；第一电容器设置在第一主动区中的第一源极/漏极区上，且电性连接到位在第一主动区中的第一源极/漏极区；而第二电容器设置在第二主动区中的第二源极/

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114512163 A (43)申请公布日 2022.05.17 (21)申请号 202110954467.X (22)申请日 2021.08.19 (30)优先权数据 17/099,206 2020