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本发明公开了一种金属材质镀膜设备表面半导体沉积物的清除及回收方法，利用金属延展性、塑性与半导体脆性的特性差异，将颗粒状碳酸氢钠晶体喷射至附有半导体沉积物的金属材质镀膜表面，通过晶体碎裂后沿着半导体沉积物薄膜表面散射过程中产生紧密的磨削作用与表面温差，实现半导体沉积物与金属镀膜设备表面之间的高效分离，收集喷射出的半导体及碳酸氢钠碎片，加水溶解除去碳酸氢钠并分离回收得到半导体沉积物粉体材料。本发明能有效去除金属材质表面的半导体沉积物，对金属镀膜设备表面无损伤，操作简单、安全且工艺环保。在回收有价值的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114505281 A
(43)申请公布日 2022.05.17
(21)申请号 202210132151.7
(22)申请日 2022.02.11
(71)申请人 东南大学
地址 211102 江苏
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