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本发明提供一种分立侧壁光栅的激光芯片及制备方法，该激光芯片包括沿着芯片外延生长方向依次为衬底层、下限制层、下波导层、量子阱有源层、上波导层、上限制层以及脊波导；以及光栅，所述光栅一种分立纳米柱光栅，由分立的纳米柱组成，位于脊波导侧壁附近。本发明通过将脊波导与分立纳米柱光栅同时刻蚀形成，不仅简化刻蚀步骤，而且光栅与侧壁分离，不会增加激光芯片的侧壁面积，减少了缺陷复合，同时保证了折射率的突变性，有效地改善了光栅对光场的调控作用，从而实现半导体激光器窄线宽、波长可调谐等特性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115799991 A
(43)申请公布日 2023.03.14
(21)申请号 202310014795.0
(22)申请日 2023.01.06
(71)申请人 深圳市星汉激光科技股份有限公司
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