一种掺杂量子点的图形化衬底、制备方法及LED外延片.pdfVIP

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2023-05-10 发布于北京
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一种掺杂量子点的图形化衬底、制备方法及LED外延片.pdf

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本发明实施例公开了一种掺杂量子点的图形化衬底、制备方法及LED外延片。该掺杂量子点的图形化衬底制备方法包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成一层异质层，在所述异质层形成的过程中同步掺杂量子点；对所述异质层进行图形化，形成多个异质微结构，所述异质微结构中掺杂有所述量子点。本发明实施例解决了传统白光LED中荧光粉可靠性较低的问题，不仅可使异质微结构实现了光线激发转换LED颜色的功能，减少了封装过程中涂覆荧光粉的工艺步骤；同时还可以使量子点密封于异质微结构中，隔绝外部环境，克服传统涂覆荧光粉易于老

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114520278 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202011314754.6 (22)申请日 2020.11.20 (71)申请人广东中图半导体科技股份有限公司地址