晶硅扩散死层处理方法及晶硅太阳能电池.pdfVIP

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2023-05-10 发布于北京
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晶硅扩散死层处理方法及晶硅太阳能电池.pdf

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本发明揭示了一种晶硅扩散死层处理方法及晶硅太阳能电池，所述方法包括：S1、通过第一溶液对晶硅表面进行腐蚀，去除晶硅表面在PN结扩散工艺中形成的PSG层；S2、通过第二溶液对晶硅表面进行刻蚀，去除晶硅表面的扩散死层；S3、通过第三溶液对晶硅表面进行腐蚀，去除晶硅表面形成的纳米尺度多孔硅结构。本发明可有效去除晶硅表面的扩散死层，降低表层的磷掺杂浓度及光生载流子的复合速率，提高电池片的开路电压，同时对原有的绒面结构无影响，保持着良好的陷光效果，保证了电池片的光电转换效率；本发明可与现行量产工艺兼容，主

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114512397 A (43)申请公布日 2022.05.17 (21)申请号 202210139073.3 (22)申请日 2022.02.15 (71)申请人苏州大学地址 215000 江