一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法.pdfVIP

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2023-05-10 发布于北京
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一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法.pdf

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本发明公开了一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法，所述长余辉型LED芯片由长余辉材料和LED灯条构成，所述LED灯条为LED芯片并联焊接而成，所述长余辉材料的原料为CaAl2O4:Eu20‑25％、Dy20‑25％、MdSiO3:Mn20‑25％、Eu20‑30％和还原剂5‑10％，制备方法步骤如下：S1：制备长余辉材料；S2：焊接LED灯条；S3：制作LED灯条基座；S4：安装LED灯条，并将长余辉材料对LED灯条表面进行覆盖；S5：对长余辉材料表面进行打磨和抛光。本发明采用CaAl

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114512576 A (43)申请公布日 2022.05.17 (21)申请号 202111672739.3 (22)申请日 2021.12.31 (71)申请人武汉纳斯恩科技有限公司地址 43