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一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：所述基底包括分立的器件区，所述器件区包括相间隔的第一区域和第二区域，在所述第一区域和第二区域的所述堆叠材料层上形成掩膜层的步骤中，各个所述掩膜层的均一性较高，在所述第一区域的掩膜层和第二区域的掩膜层之间形成的牺牲掩膜层的均一性较高，因为所述牺牲掩膜层的耐刻蚀度小于所述掩膜层的耐刻蚀度，以所述掩膜层和牺牲掩膜层为掩膜刻蚀所述堆叠材料层，形成器件开口的步骤中，多个所述牺牲掩膜层的被去除速率的均一性较好，且易同时去除被去除，有利于使得器件开口的均一性较高，从而在
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114512445 A
(43)申请公布日 2022.05.17
(21)申请号 202011278814.3
(22)申请日 2020.11.16
(71)申请人 中芯国际集成电路制造（上海）有限
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