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本发明提供一种SONOS器件的制作方法,提供衬底,在衬底上形成隧穿氧化层;在隧穿氧化层上重复形成多个由氮化硅层和氧化层构成的复合层;在多个复合层上形成绝缘层;在绝缘层上形成控制栅。本发明通过制造多层氮化硅陷阱层制造出多级的陷阱能级,可以提高深陷阱能级的比例,增加电荷被限制在深陷阱中的保留时间,从而提升器件的可靠性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114530382 A
(43)申请公布日 2022.05.24
(21)申请号 202210085527.3
(22)申请日 2022.01.24
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
地址
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