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本公开总体涉及二极管的表面损坏控制。公开了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括衬底、设置在衬底内的第一阱区域、设置为与第一阱区域相邻并且在衬底内的第二阱区域、以及设置在第一阱区域内的阱区域阵列。第一阱区域包括第一类型掺杂剂，第二阱区域包括不同于第一类型掺杂剂的第二类型掺杂剂，并且阱区域阵列包括第二类型掺杂剂。该半导体器件还包括设置在阱区域阵列上并且在衬底内的金属硅化物层、设置在金属硅化物层上并且在衬底内的金属硅化物氮化物层、以及设置在金属硅化物氮化物层上的接触件结构。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114520258 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202210041511.2 H01L 21/329 (2006.01)
(22)申请日 2022.01
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