一种半导体元件及其制备方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.87万字
约 17页
2023-05-10 发布于北京
举报
版权申诉

一种半导体元件及其制备方法.pdf

1、本文档共17页，其中可免费阅读16页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明实施例公开了一种半导体元件及其制备方法。半导体元件中，外延层远离衬底的一侧包括沟槽；氧化层位于沟槽内；栅极多晶硅层和源极多晶硅层均内嵌于氧化层中，栅极多晶硅层和源极多晶硅层之间以该氧化层隔开，氧化层至少暴露栅极多晶硅层的远离衬底的表面；体区和源区均形成于外延层的远离衬底的一端中，体区和源区均位于栅极多晶硅层的左右两侧，相对于源区而言体区位于源区靠近衬底的一侧；源极电极位于体区远离衬底的一侧并与源区电连接；源极多晶硅层与源极电极电连接，源极多晶硅层的掺杂离子的类型与栅极多晶硅层的掺杂离子的类

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114497225 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202210138070.8 (22)申请日 2022.02.15 (71)申请人恒泰柯半导体（上海