半导体元件及其制作方法.pdfVIP

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本发明公开一种半导体元件及其制作方法,其中制作最小鳍状结构长度的方法为,首先形成一鳍状结构沿着一第一方向延伸于基底上,然后形成第一单扩散隔离结构以及第二单扩散隔离结构沿着一第二方向延伸并将该鳍状结构分隔为第一部分、第二部分以及第三部分。接着进行一鳍状结构切割制作工艺,例如先形成一图案化掩模于基底上,其中图案化掩模包含一开口暴露出第一单扩散隔离结构、第二部分以及第二单扩散隔离结构,随后再去除第一部分以该第三部分。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114512441 A (43)申请公布日 2022.05.17 (21)申请号 202011276918.0 (22)申请日 2020.11.16 (71)申请人 联华电子股份有限公司 地址 中国台

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