一种基于外延沟道的MOSFET器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-10 发布于北京
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一种基于外延沟道的MOSFET器件及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种基于外延沟道的MOSFET器件及其制备方法，方法包括：选取N型衬底层；在N型衬底层上形成N型外延层；在N型外延层的两端的内表面形成P阱注入区；在P阱注入区的内表面形成N+注入区和P+注入区，两个N+注入区位于两个P+注入区之间；在部分N型外延层、部分P阱注入区和部分N+注入区上形成外延沟道层；热氧化外延沟道层和N型外延层形成第一栅氧化层、位于第一栅氧化层和N型外延层上的第二栅氧化层；在P+注入区和部分N+注入区上形成源极；在N型衬底层的下表面形成漏极；在第二栅氧化层上形成栅极。本发

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114530370 A (43)申请公布日 2022.05.24 (21)申请号 202011322803.0 H01L 29/786 (2006.01) (22)申请日 2020.11