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一种体块碳化硅单晶内部应力检测方法.pdf

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    本发明涉及一种体块碳化硅单晶内部应力检测方法，包括：将待检测的体块SiC单晶样品表面进行定向操作，获取SiC样品表面的晶面；对获取的所述SiC样品表面的晶面进行中子衍射测试，得到测试结果；将所述测试结果中的衍射峰与无应力晶体中对应晶面的衍射峰进行比较，得到SiC晶体不同方向上的应变值，并通过坐标转换得出样品坐标系中的应变张量，最后计算出所述体块SiC单晶中的应力大小与分布。本发明方法采用的中子在SiC单晶中的穿透能力强，穿透能力可达厘米量级，通过对SiC晶体进行中子衍射，能够获得SiC单晶内部不

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114509457 A (43)申请公布日 2022.05.17 (21)申请号 202210179190.2 (22)申请日 2022.02.25 (71)申请人 山东大学 地址 250100 山

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