半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-10 发布于北京
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半导体器件及其制造方法.pdf

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本申请公开了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：堆叠结构，其包括彼此交替堆叠的第一电极和绝缘层；第二电极，其穿过堆叠结构；以及可变电阻图案，每个可变电阻图案被置于第二电极与第一电极中的对应的第一电极之间，其中，每个第一电极包括面向第二电极的第一侧壁，其中，每个绝缘层包括面向第二电极的第二侧壁，以及其中，每个可变电阻图案的至少一部分比第二侧壁朝向第二电极突出更多。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114530548 A (43)申请公布日 2022.05.24 (21)申请号 202110885620.8 H01L 27/22 (2006.01)