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本发明属于Bi2O2Se二维功能材料的生长工艺技术领域,具体涉及一种实现Bi2O2Se微米梯台的化学气相沉积的制备方法,本发发明突破了现在基底及制备工艺生长Bi2O2Se的局限性,选用具有较大晶格差异的(0001)取向Al2O3基片作为衬底,综合控制气体流速、前驱物‑基片的间距、沉积气压、成核时间和温度以及生长时间和温度等参数,结合高温扩散成核、低温结晶生长的制备技术,实现了形状和尺寸可控的Bi2O2Se微米梯台的制备。该方法能够通过综合调控生长条件,获得平面生长、倾斜生长的Bi2O2Se微米梯
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114525494 A
(43)申请公布日 2022.05.24
(21)申请号 202210161095.X
(22)申请日 2022.02.22
(71)申请人 中山大学
地
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