一种带体漏交叉耦合技术的高增益中频放大器.pdfVIP

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2023-05-10 发布于北京
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一种带体漏交叉耦合技术的高增益中频放大器.pdf

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本发明属于无线通信技术领域，具体提供一种带体漏交叉耦合技术的高增益中频放大器，用以解决现有中频放大器高频增益有待提高的问题。本发明由两部分组成：其一为由MOS管M1与M2、负载Load1与Load2、负载电容CL1与CL2构成的共源极差分放大器，其二为由耦合电容C1与C2、偏置电阻R1与R2组成的体漏交叉耦合结构；本发明在传统的共源极放大器结构基础上，通过引入体漏交叉耦合技术：将差分对一侧MOS管的漏极通过耦合电容连接到另一侧MOS管的体电极、同时再通过偏置电阻为体电极提供静态偏置，有效地提高了

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114513175 A (43)申请公布日 2022.05.17 (21)申请号 202111645834.4 (22)申请日 2021.12.30 (71)申请人电子科技大学地址 611731