一种纳米柱阵列的制备方法.pdfVIP

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2023-05-10 发布于北京
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一种纳米柱阵列的制备方法.pdf

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本发明涉及工艺加工领域，具体用于在半导体衬底上形成纳米柱阵列，包括，提供半导体衬底，并在其上形成上涂有光刻胶，之后在光刻胶上光刻形成图案；在制备好后图案上形成掩膜层，通过掩膜层阻止光线的传播；对包含掩膜层的半导体衬底进行电化学刻蚀，且通过控制刻蚀条件得到不同高度的图案，之后除去掩膜层，所述半导体衬底包括碳化硅衬底片或者氮化镓衬底片，半导体衬底的长和宽尺寸均为2‑8英寸，半导体衬底厚度为200‑500微米，光刻方式采用电子束直写技术，图案为纳米柱阵列形状。本发明中通过采用光电化学刻蚀方法，可在晶圆

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114496768 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202210338480.7 (22)申请日 2022.04.01 (71)申请人浙江大学杭州国际科