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本发明公开了一种半导体激光切割MPW版图设计方法及其制备的芯片、终端，属于半导体技术领域，包括以下步骤：根据芯片规格参数、晶圆可操作面积上限值、激光切割轨迹调整所需安全距离进行逻辑运算，输出版图设计草图；基于芯片测试难易度和/或晶圆面积利用率和/或切割次数对版图设计草图进行评价，进而确认最终版图设计方案。本发明能够高效输出所有可能性的版图设计草图，具备简单有效、易操作，实用性强的特点，为快速获得更加优质可视的切割方案提供了保证，有效避免产品晶圆在生产切割环节可能的滞留时间，提升产品生产效率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 114548015 B
(45)授权公告日 2022.08.02
(21)申请号 202210420905.9 (51)Int.Cl.
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