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一种晶圆的切割方法,包括:提供待切割晶圆;对所述晶圆进行激光切割,直至所述晶圆被贯穿,所述激光切割包括n阶段切割步骤,所述n阶段切割步骤中的第i阶段切割步骤的功率大于第i‑1阶段切割步骤的功率,所述1<i≤n,n为大于等于2的自然数。本发明实施例提供的晶圆的切割方法,调整不同阶段激光切割的功率,可以减小切割前期溅射到晶圆表面的高温硅屑,降低在晶圆表面造成的热影响区域,提高晶圆良率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114535836 A
(43)申请公布日 2022.05.27
(21)申请号 202210299949.0
(22)申请日 2022.03.25
(71)申请人 华虹半导体(无锡)有限公司
地址
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