高抗浪涌电流能力的集成栅控二极管的碳化硅MOSFET.pdfVIP

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2023-05-11 发布于北京
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高抗浪涌电流能力的集成栅控二极管的碳化硅MOSFET.pdf

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本发明涉及一种高抗浪涌电流能力的集成栅控二极管的碳化硅MOSFET，属于功率半导体器件技术领域。随着碳化硅功率器件的耐压越来越高，漂移区也越来越厚，这使得PIN在进行双极导通过程中越来越多的少子在漂移区被复合形成复合电流，该复合电流将全部由栅控二极管的沟道承担，这将极大降低栅控二极管的栅氧化层可靠性。为了缓解这一问题，为栅控二极管集成了并联的PNPBJT，利用反偏的PN结降低了有效基区厚度，减少了少子在基区的复合，即减小了复合电流的产生，缓解浪涌状态中沟道区的电流密度，提高了器件整体的抗浪涌电

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 114551601 B (45)授权公告日 2022.07.15 (21)申请号 202210441140.7 H01L 29/06 (2006.01)