一种高抗浪涌电流能力的栅控二极管.pdfVIP

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2023-05-11 发布于北京
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一种高抗浪涌电流能力的栅控二极管.pdf

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本发明涉及一种高抗浪涌电流能力的栅控二极管，属于功率半导体器件技术领域。本发明的一种高抗浪涌电流能力的栅控二极管采用MOS的沟道进行单向电流导通。为了降低二极管的正向导通压降，本发明采用积累型沟道取代常规反型沟道。此外，为了提高器件的抗浪涌能力，我们为该栅控二极管集成了并联的PNP三极管，三极管的加入使得浪涌电流到来时三极管的基区能够被电导调制，降低了三极管基区的体电阻，进一步的，三极管的集电结反偏，将进一步放大由发射区进入基区的电流。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 114551576 B (45)授权公告日 2022.07.01 (21)申请号 202210441706.6 H01L 29/739 (2006.01) (22)申请日 2022.0