硅球聚多巴胺钴复合物衍生的富缺陷碳电极及制备和应用.pdfVIP

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2023-05-11 发布于北京
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硅球聚多巴胺钴复合物衍生的富缺陷碳电极及制备和应用.pdf

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本发明公开一种基于包覆硅球的聚多巴胺和硝酸钴复合物制备富缺陷碳基电极材料的方法，并将其应用于高效电容去离子除盐领域。具体的制作方法是先合成包覆硅球的聚多巴胺和硝酸钴复合物，然后在氩气环境下高温锻烧，洗涤获得富缺陷的多孔碳材料，再将多孔碳与导电剂炭黑、粘结剂PTFE混合，压覆在石墨纸上，干燥，制备成多孔碳电极，组成对称电容除盐装置。在电容去离子过程中，包覆硅球的聚多巴胺和硝酸钴混合物衍生的多孔碳除盐容量高达32.9mgg‑1，为其他对比碳电极的1.3‑2.0倍，且该电极吸附较稳定。采用本发明制备

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114538578 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210267051.5 (22)申请日 2022.03.18 (71)申请人南开大学地址 300071 天津