半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-12 发布于北京
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半导体器件及其制造方法.pdf

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本公开涉及半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，一种器件包括：p型晶体管，该p型晶体管包括：第一沟道区域；第一栅极电介质层，其位于第一沟道区域上；含钨功函数调整层，其位于第一栅极电介质层上；以及第一填充层，其位于含钨功函数调整层上；以及n型晶体管，该n型晶体管包括：第二沟道区域；第二栅极电介质层，其位于第二沟道区域上；无钨功函数调整层，其位于第二栅极电介质层上；以及第二填充层，其位于无钨功函数调整层上。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114597208 A (43)申请公布日 2022.06.07 (21)申请号 202110549995.7 (22)申请日 2021.05.20 (30)优先权数据 63/142,549 2021