具有衬底偏置方案的半导体装置结构.pdfVIP

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2023-05-12 发布于北京
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具有衬底偏置方案的半导体装置结构.pdf

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本申请涉及具有衬底偏置方案的半导体装置结构，揭示了具有衬底偏置的半导体装置结构、形成具有衬底偏置的半导体装置结构的方法以及操作具有衬底偏置的半导体装置结构的方法。衬底接点耦合到装置区中的主体半导体衬底的一部分。衬底接点被配置为用负偏置电压偏置。场效应晶体管包括在主体半导体衬底的装置区中的半导体本体。半导体本体与主体半导体衬底的部分电性隔离。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114597261 A (43)申请公布日 2022.06.07 (21)申请号 202111254194.4 (51)Int.Cl.