一种实现负权重的矩阵乘和运算的crossbar器件制备方法.pdfVIP

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2023-05-12 发布于北京
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一种实现负权重的矩阵乘和运算的crossbar器件制备方法.pdf

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本发明公开了一种实现负权重的矩阵乘和运算的crossbar器件制备方法，包括：制备半导体器件，半导体器件包括crossbar阵列的多个单点器件，各单点器件均包括依次层叠设置的两个分立式的背栅电极、栅介质层、两个间隔的浮栅电极、隧穿层和二硫化钼，二硫化钼的上表面制备有源、漏电极和输出电极，各单点器件中的输出电极共线输出；将待训练神经网络的输入信息对应映射为各单点器件的漏电极电压，源电极电压与漏电极电压等大且极性相反，同时将待训练神经网络的权重信息对应映射为各单点器件中两个沟道区域的电导差，单点器件

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 114597232 B (45)授权公告日 2022.07.19 (21)申请号 202210501761.X H01L 27/11521 (2017.01)