半导体结构及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-12 发布于四川
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半导体结构及其制作方法.pdf

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本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构中，异质结上形成有原位绝缘层，原位绝缘层中具有凹槽，在凹槽内以及原位绝缘层上具有过渡层，过渡层上的栅极区域形成有p型半导体层。过渡层利于工艺中p型半导体层在凹槽外形成。原位绝缘层与过渡层可以减小器件中沟道泄漏到栅极形成的栅泄漏电流，因而异质结中的势垒层的厚度可以较小，从而可以提高阈值电压；此外，由于原位绝缘层的设置，可减小方块电阻，增加二维电子气的浓度，提高了栅极对沟道的控制能力，提升工作电流。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114616678 A (43)申请公布日 2022.06.10 (21)申请号 201980101639.X (51)Int.Cl.