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一种无结场效应晶体管及其制备方法,该无结场效应晶体管包括有源层、二维半导体材料层、栅介质层和栅极。有源层沿第一方向延伸,包括沟道区以及在第一方向上位于沟道区两端的源极区和漏极区;二维半导体材料层设置在有源层的表面且至少部分环绕沟道区;栅介质层设置在二维半导体材料层的远离有源层的一侧且至少部分环绕二维半导体材料层;栅极设置在栅介质层的远离有源层的一侧且至少部分环绕栅介质层。该无结场效应晶体管中,二维半导体材料层可以弱化甚至屏蔽栅极带来的功函数波动,进而稳定无结场效应晶体管的阈值电压,提高器件的稳定
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114613850 A
(43)申请公布日 2022.06.10
(21)申请号 202011447951.5 B82Y 30/00 (2011.01)
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