一种半导体栅极结构及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-12 发布于四川
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一种半导体栅极结构及其制作方法.pdf

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本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体栅极结构及其制作方法，该方法包括：在衬底上形成栅极沟槽；在该栅极沟槽内壁形成栅介质层；在栅介质层上形成堆叠的多层金属阻挡层，每层金属阻挡层包括依次形成的TiN层和TiON层；在所述多层金属阻挡层上形成金属栅，采用堆叠形成TiN层和TiON层的多层金属阻挡层，不仅使得该金属阻挡层的厚度足够薄，同时，还能提高阻挡性能，以免在形成金属栅时产生的含氟气体对栅介质层造成侵蚀和破坏，进而提高了器件性能。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114597124 A (43)申请公布日 2022.06.07 (21)申请号 202011415788.4 (22)申请日 2020.12.04 (71)申请人中国科学院微电子研