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本发明公开了一种低位错超高纯锗单晶的提拉方法，包括如下步骤：熔料、引晶、缩颈、放肩、等径、收尾和降温，在所述放肩与所述等径之间还包括如下步骤：放肩二：降低晶转速度和埚转速度，均匀升高拉速，按低降温频率控制均匀降温并保持一定时长，使得晶体直径逐渐长大至所述等径所需的晶体尺寸。在本方案中，通过先均匀降低晶转速度和埚转速度，均匀升高拉速；然后再降低频率均匀降温，使得晶体直径逐渐长大至所述等径所需的晶体尺寸，即为以便于使得晶体放肩和等径过程相衔接，使得晶体在此条件下会抑制界面的反转过程，防止晶体直径放肩
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114574950 A
(43)申请公布日 2022.06.03
(21)申请号 202210277220.3
(22)申请日 2022.03.17
(71)申请人 安徽光智科技有限公司
地址 239
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