制造具有多个量子井的半导体结构.pdfVIP

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2023-05-12 发布于北京
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制造具有多个量子井的半导体结构.pdf

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实例是关于一种制造具有多个量子井的一半导体结构的方法。该方法包括：提供一基板，该基板包括具有一第一晶格常数的一种二元半导体化合物；沉积至少在该基板上的一第一层及与该第一层接触的一第二层，以在该基板上形成实质上平面半导体层的一第一堆栈，为一第一半导体合金的该第一层包括InP，为一第二半导体合金的该第二层包括InP；与该第一堆栈接触地沉积具有该第一晶格常数的一种二元半导体化合物的一第三层；沉积至少在该第三层上的一第四层及与该第四层接触的一第五层，以在该第三层上形成实质上平面半导体层的一第二堆栈，该第

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114600325 A (43)申请公布日 2022.06.07 (21)申请号 202080073561.8 斯 ·蒂斯　 (22)申请日 2020.10.16