制造半导体结构.pdfVIP

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2023-05-12 发布于北京
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本公开涉及制造一半导体结构的方法。该方法包含：沉积一第一层，使其与一基材的一第一表面区域接触，该基材具有一第一半导体材料且该第一层具有一第二半导体材料；沉积一第二层，使其与该基材的一第二表面区域接触，该第二表面区域基本上与该第一表面区域共面且在该第一表面区域之外，且该第二层具有该第一半导体材料或一第三半导体材料；沉积一第三层，使其与该第一层及该第二层接触，该第三层具有该第一半导体材料或该第三半导体材料或一第四半导体材料；移除该第三层的一部分以暴露该第一层的一部分；移除该第一层的至少一部分以在该基

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114616648 A (43)申请公布日 2022.06.10 (21)申请号 202080074205.8 (74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限