半导体集成电路.pdfVIP

下载本文档

0
0
约2.17万字
约 21页
2023-05-12 发布于北京
举报
版权申诉

半导体集成电路.pdf

1、本文档共21页，其中可免费阅读20页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明的目的在于，提供在维持容错功能的同时能够实现高速传送的半导体集成电路。实施方式的半导体集成电路具备：第一MOS晶体管，栅极被赋予与第一电压的电压范围对应的信号电平的输入信号，d对基准电位点与中间节点之间的导通非导通进行控制；第二MOS晶体管，经由中间节点与第一MOS晶体管连接并与第一MOS晶体管一同构成堆叠，栅极被供给偏置电压，向中间节点施加第一MOS晶体管的耐压以下的电压；第三MOS晶体管，被供给比第一电压高的第二电压，栅极被赋予第一MOS晶体管的动所对应的电平的信号，输出与第二电压的电

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114598313 A (43)申请公布日 2022.06.07 (21)申请号 202110755802.3 (22)申请日 2021.07.05 (30)优先权数据 2020-201175 202