半导体元件及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-12 发布于北京
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半导体元件及其制作方法.pdf

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本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先提供一基底包含第一区域以及第二区域，然后形成第一鳍状结构于该第一区域上，去除部分第一鳍状结构以形成一第一凹槽，形成一介电层于第一凹槽内以形成一双扩散隔离结构，再形成一第一栅极结构以及一第二栅极结构于双扩散隔离结构上，其中第一栅极结构底表面低于第一鳍状结构顶表面。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114597129 A (43)申请公布日 2022.06.07 (21)申请号 202011411105.8 (22)申请日 2020.12.04 (71)申请人联华电子股份有限公司地址中国台