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本发明公开了一种半导体芯片的划片工艺改进方法,属于半导体制造工艺技术领域,包括正面形成有器件结构的半导体晶圆,在正面工艺完成后的半导体晶圆正面涂覆一层光刻胶,显影露出划片槽衬底,刻蚀处理将划片槽衬底向下刻蚀形成凹槽。本发明可将独立完整电气性能的芯片分离出来,有效改进了现在半导体晶圆的划片工艺良率和效率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114597122 A
(43)申请公布日 2022.06.07
(21)申请号 202210237396.6
(22)申请日 2022.03.11
(71)申请人 成都海威华芯科技有限公司
地址 6
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