发光二极管外延片及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-12 发布于北京
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发光二极管外延片及其制备方法.pdf

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一种发光二极管外延片及其制备方法，该发光二极管外延片包括：衬底、以及在所述衬底上依次生长的低温缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和p型掺杂GaN层，所述多量子阱层包括预设周期个依次层叠的插入层、量子阱层以及量子垒层，其中，所述插入层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层为掺杂Mg的GaN层，所述第二子层为未掺杂的GaN层，所述第三子层为InGaN层。本发明可以使量子阱内In分布更均匀，减少In的偏析，提升外延片内波长均匀性，且可以减少电子溢流，增加量子

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 114597293 B (45)授权公告日 2022.08.05 (21)申请号 202210483535.3 H01L 33/32 (2010.01)