含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物以及图案形成方法.pdfVIP

含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物以及图案形成方法.pdf

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本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物以及图案形成方法。本发明的目的是提供于多层抗蚀剂法中,抑制超微细图案崩塌的效果高,可形成图案形状良好的抗蚀剂图案的含硅的抗蚀剂下层膜。一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物,其特征为含有:下列通式(A‑1)表示的化合物及热交联性聚硅氧烷。[化1]R1表示甲基、乙基、丙基、烯丙基、炔丙基,R2表示氢原子、乙酰基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、苯甲酰基、萘甲酰基、蒽甲酰基,R3表示甲基、乙基、丙基、烯丙基、炔丙基、或下列通式(A‑2)表示的基团。[化2]虚线表示原子键,

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114594657 A (43)申请公布日 2022.06.07 (21)申请号 202111466982.X (22)申请日 2021.12.03 (30)优先权数据 2020-202636 202

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