金属氧化物半导体电容器及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-12 发布于北京
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金属氧化物半导体电容器及其制作方法.pdf

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本发明公开一种金属氧化物半导体(MOS)电容器及其制作方法，其中该MOS电容器包括一基底，具有电容器形成区域；离子阱，具有第一导电型，设置在基底中；一反掺杂区，具有第二导电型，设置在离子阱中；一电容介电层，设置在离子阱上；一栅电极，设置在电容介电层上；一源极掺杂区，具有第二导电型，设置在电容器形成区域内的栅电极的第一侧；以及一漏极掺杂区，具有第二导电型，设置在电容器形成区域内的栅电极的第二侧。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114613864 A (43)申请公布日 2022.06.10 (21)申请号 202011429361.X (22)申请日 2020.12.07 (71)申请人联华电子股份有限公司地址中国台