一种功率MOSFET器件及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-12 发布于北京
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一种功率MOSFET器件及其制作方法.pdf

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本发明涉及一种功率MOSFET器件及其制造方法，所述功率MOSFET器件分为有源区和终端区，在第一导电类型衬底上设有第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层上设有第二导电类型外延层，在有源区的第一导电类型外延层和第二导电类型外延层中设有第一导电类型阱区，在第一导电类型外延层和第二导电类型外延层中设有沟槽，在有源区的第二导电类型外延层中设有第一导电类型源极和第二导电类型源极，在终端区的第二导电类型外延层中设有第二导电类型源极，本发明能够缓解半导体晶圆在制造过程中产生的翘曲，有效提高功率半导体器件的

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 114597264 B (45)授权公告日 2022.07.26 (21)申请号 202210500218.8 审查员韩增智 (22)申请日 2022.05.10