一种电容器结构及其制备方法、半导体结构及其制备方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约3.88万字
约 44页
2023-05-12 发布于四川
举报
版权申诉

一种电容器结构及其制备方法、半导体结构及其制备方法.pdf

1、本文档共44页，其中可免费阅读43页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本公开实施例公开了一种电容器结构及其制备方法、半导体结构及其制备方法，其中，所述电容器结构包括衬底以及设置于所述衬底上的第一电极、第一介质层和第二电极，其中，所述第一电极包括至少两个在垂直于所述衬底方向上连续设置且依次连接的子电极，至少两个所述子电极中，至少一个所述子电极在所述衬底上的正投影覆盖另一个所述子电极在所述衬底上的正投影；所述第一介质层设置于所述第一电极至少部分外表面；所述第二电极设置于所述第一介质层至少部分外表面，且所述第二电极与所述第一电极绝缘设置。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 114582873 B (45)授权公告日 2022.07.26 (21)申请号 202210484668.2 (51)Int.Cl.