一种超结MOSFET器件的仿真方法及仿真模型结构.pdfVIP

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2023-05-12 发布于四川
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一种超结MOSFET器件的仿真方法及仿真模型结构.pdf

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本发明涉及一种超结MOSFET器件的仿真方法及仿真模型结构，仿真方法包括：构建电路模型，电路模型包括MOSFET模型、JFET模型、体二极管模型和第一电阻模型Ⅰ、第一电阻模型Ⅱ和第二电阻模型；MOSFET模型漏极与JFET模型源极连接；MOSFET模型源极分别与JFET模型栅极、体二级管模型正极连接；第一电阻模型Ⅰ的第一端与JFET模型漏极连接，第一电阻模型Ⅰ的第二端与第一电阻模型Ⅱ的第一端连接；第一电阻模型Ⅱ的第二端与体二极管模型负极连接。本发明提供的仿真方法能有效模拟超结MOSFET器件在各

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 114580332 B (45)授权公告日 2022.08.12 (21)申请号 202210485117.8 (56)对比文件 (22)申请日 2022.05.06